Figure 6. Schematic diagrams of the

Figure 6. Schematic diagrams of the process sequence for the fabrication of
2D slab silicon photonic crystals using combined-nanoimprint-and-photolithography.
ICP-IRE, inductively coupled plasma reactive ion etcher. (a) PECVD SiO2 deposition
(100 nm) on SOI substrate with 2 um-thick buried oxide (BOX) layer, (b) Al thin layer
deposition (20 nm) on top of SiO2, (c) SU-8 spin-coat (230 nm) on Al layer,
(d) Combined-Nanoimprint-and-Photolithography, (e) SU-8 residue dry etch, (f) Al dry
etch, (g) SiO2 dry etch, and (h) silicon and SiO2 etch.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 6 แผนภาพแผนผังของลำดับขั้นตอนสำหรับการผลิตของ
2D โทนิคคริสตัลโดยใช้ซิลิกอนแผ่นรวม-nanoimprint และ photolithography
ICP-IRE, พลาสม่า inductively คู่แกะไอออนปฏิกิริยา (A) การสะสม PECVD ของ SiO2
(100 นาโนเมตร) ในซอยพื้นผิวมี 2 มหนาฝังออกไซด์ (กล่อง) ชั้น (ข) อัชั้นบาง
สะสม (20 นาโนเมตร) ที่ด้านบนของ SiO2 (ค) การหมุนเสื้อ SU-8 (230 นาโนเมตร) อัชั้น
(ง) รวม-Nanoimprint และ photolithography (จ) SU-8 กากจำหลักแห้ง (ฉ) อัแห้ง
จำหลัก (g) SiO2 จำหลักแห้งและ (ซ) ซิลิกอนและ SiO2 จำหลัก